AO3400 / AO3416
二者都是SOT‑23 封装 N 沟道增强型 MOS 管(低侧开关),用来做电子开关、PWM 调光、小电机、LED、电源通断控制。
N‑MOS 特性:源极 S 必须接 GND;负载接在漏极 D 和电源正极之间。
参数对比
| 参数 | AO3400 | AO3416 |
|---|---|---|
| Vds 耐压 | 30V | 20V翊欧半导体 |
| 连续 Id | 5.8A | 6.5A翊欧半导体 |
| Vgs (th) 阈值 | ~1.4V(开始微微导通) | ~1.0V,低压驱动更好 |
| Rds(on)@4.5V | 33mΩ | 22mΩ,导通电阻更小翊欧半导体 |
| Vgs 最大 | ±12V | ±8V翊欧半导体 |
AO3416 更适合3.3V 单片机 IO 驱动;AO3400 耐压更高适合 12‑24V 负载。
SOT‑23 引脚(面对丝印,从左到右)
- G 栅极(接单片机控制信号)
- S 源极(接 GND)
- D 漏极(接负载负极)
标准接线(低侧开关,最常用)
plaintext
负载正极 → VCC(5/12/24V) 负载负极 → AO3400 D引脚 AO3400 S引脚 → GND AO3400 G引脚 → 串联Rg(50‑100Ω) → 单片机IO G与S之间并联 Rpull_down=10kΩ 下拉到GND- Rg(50‑100Ω):栅极限流电阻,抑制震荡,保护 IO 和 MOS 管
- 10k 下拉电阻 G‑S:单片机复位 / 浮空时,强制 MOS 关闭,防止误开启,必须加
- 如果是电机、继电器这类感性负载:负载两端反向并联续流二极管(SS14)。
⚠️注意:N‑MOS不能放在电源正极上面(高侧)直接用单片机驱动,只能放在负极 / GND 这一侧。
IO 高低电平对应 MOS 输出结果
单片机 IO 是 3.3V /5V 推挽输出,源极 S 接 GND
IO 输出高电平(3.3V/5V)Vgs=3.3V/5V,大于阈值电压;MOS 管导通,D‑S 之间接近短路。 👉负载负极被拉到 GND →负载上电工作。
IO 输出低电平(0V)Vgs≈0V,MOS 管关断,D‑S 几乎开路。 👉负载回路断开 →负载断电停止。
📌逻辑总结: ✅IO 高电平 → MOS 导通 → 负载通电 ✅IO 低电平 → MOS 截止 → 负载断电
坑点:
- AO3400 阈值 1.4V,3.3V 可以驱动,但电流大时 Rds (on) 会变大发热;AO3416 阈值更低,3.3V 驱动效果更好。
- 单片机 IO 浮空(复位状态),如果没有 10k 下拉电阻,G 极电压不确定,MOS 可能随机误导通。
- AO3400 最大 30V,AO3416 最大 20V,负载电源不要超过该电压。
- 标称 5.8A/6.5A 是理想散热条件,实际 PCB 小铜皮,建议持续电流控制在 2‑3A 以内,否则发烫。
简单示例:STM32 控制 12V 风扇
- 风扇 + 接 12V;风扇‑接 AO3400 D;AO3400 S 接 GND;
- IO 引脚 →100Ω→G;G‑S 并联 10kΩ;风扇两端反向接 SS14 二极管;
GPIO_SetBits()→风扇转;GPIO_ResetBits()→风扇停。