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自上而下包括：

FEOL & BEOL：FEOL（前道工序）是底层的晶体管等器件；

BEOL（后道工序）是芯片内部的金属布线层。

ubump（微凸块）：用于高密度、短距离的芯片间连接。

TSV（硅通孔）：贯穿整个硅片的垂直通道，是实现 3D芯片堆叠（让芯片像盖楼一样垂直相连）的关键技术。

C4凸块：相对较大的传统倒装焊料球，通常用于将芯片连接到封装基板上。

第一阶段：传统封装时代（Pitch：1000-100um）技术 (PCB & MCM)：多芯片模块（MCM）。芯片（Die）通过C4凸块连接到基板（Substrate），基板再通过BGA锡球连接到主板（PCB）上。特点：连接间距较大，属于传统的 2D封装，通信带宽和密度受限。

第二阶段：2.5D高级封装时代（Pitch：50-25um）技术 (Fan-out扇出型封装)：引入了中介层（Interposer）或硅桥接器（Bridge）。多个裸片通过更密集的bump连接到中介层上，实现高密度的数据交换。对应应用 (下排图示)：Chiplet（小芯片）：将原本巨大的一块单片逻辑芯片拆分成多个小模块，通过这种技术拼接在一起，提高良率并降低成本。HBM3/HBM3E（高带宽内存）：将多层DRAM存储芯片（Die 0到Die N）通过TSV技术垂直打通并堆叠在逻辑控制芯片上，极大提升了内存带宽。

第三阶段：3D异构集成时代（Pitch：10um甚至更小）技术 (Hybrid Bonding混合键合)：这是目前最前沿的互连技术。它彻底抛弃了凸块（bump），直接将两块芯片表面的铜焊盘在分子层面对齐并压合在一起（如右上角HB放大图所示）。对应应用 (下排图示)：Cache Stacking（缓存堆叠）：能够将大容量的SRAM缓存直接“贴”在逻辑芯片（CPU/GPU）的正上方。Chip Group（复杂芯片组）：结合 2.5D和 3D技术，将逻辑核心、接口、缓存、内存完全异构集成在一起，形成超级芯片。